易事特UPS电源了里面IGBT损坏的解决对策

　　①过电流损坏

　　为了避免IGBT发生擎住效应而损坏，电路设计中应保证IGBT的最大工作电流应不超过IGBT的IDM值，同时留意可适当加大驱动电阻RG的办法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，IGBT必需加负偏压，IGBT出产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V之间，漏极电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以驱动IGBT必需设计负偏压。因为UPS负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在UPS设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必需的，可考虑采用IGBT厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它们对IGBT的集电极电压进行检测，假如IGBT发生过电流，内部电路进行封闭驱动。这种办法有时仍是不能保护IGBT，根据IR公司的资料，IR公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降Vce，假如Vce超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经由4us连续检测通态压降Vce，假如正常，将驱动电压恢复正常，假如未恢复，将驱动封闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT，另外根据最新三菱公司IGBT资料，三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路（RTCcircuit），当发生过电流，10us内将IGBT的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。

　　②过电压损坏

　　防止过电压损坏方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢（但开关损耗也增加了）;设计缓冲电路，对尖峰电压进行按捺。用于缓冲电路中的二极管必需是快恢复的二极管，电容必需是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种，具体电路设计可参见所选用器件的技术手册。

　　③桥臂共导损坏

　　在UPS中，逆变桥同臂支路两个驱动必需是互锁的，而且应该设置死区时间（即共同不导通时间）。假如发生共导，IGBT会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动题目控制时序题目。

　④过热损坏

　可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇制冷，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的题目。此外还要留意安装过程中的静电损坏题目，操纵职员、工具必需进行防静电保护。